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華瀾微亮相2020全球閃存峰會

2020年7月30日

剛剛過去的2020年6月，美國權(quán)威科技媒體CIO Review評選了在HPC(High Performance Computing高性能計算)領(lǐng)域最富有潛力的20大企業(yè)，兩家中國企業(yè)入列,它們是“華瀾微電子”(SageMicro)和瀾起科技（Montage）。

本次峰會特別邀請了華瀾微董事長、杭州電子科技大學微電子研究中心主任駱建軍教授就存儲控制器發(fā)展趨勢發(fā)表《固態(tài)硬盤控制器芯片關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展簡析》的主題演講。

固態(tài)存儲控制器的發(fā)展挑戰(zhàn)上，遇到的問題包括：

1. 數(shù)據(jù)量的爆發(fā)式增長用戶在有限體積下的更大容量存儲的需求；

2. 高性能計算和人工智能（AI）等應(yīng)用對數(shù)據(jù)讀寫速度的需求；

3. 對存儲系統(tǒng)可靠性要求不斷提高，但閃存技術(shù)不斷發(fā)展帶來的可靠性降低，是閃存控制器技術(shù)發(fā)展的矛盾和挑戰(zhàn)；

4. 數(shù)據(jù)高安全性防護，要求存儲控制器提供片上集成的高效加/解密功能，成為剛需。

針對這些市場需求和技術(shù)演進，駱總分別做了全面的詮釋：

一是在底層架構(gòu)方面，華瀾微很早就擁有了異構(gòu)多核SoC架構(gòu)的存儲控制器的中國與美國相應(yīng)專利，該架構(gòu)通過多核間的進程協(xié)調(diào)、總線競爭、多任務(wù)和分布式管理技術(shù)，解決了存儲傳輸速度、緩存、全局映射、閃存通道速度的高效平衡等問題。華瀾微已在此基礎(chǔ)上實現(xiàn)了更小面積存儲控制器上實現(xiàn)更大容量存儲應(yīng)用，研制成功多顆存儲控制器，在全球發(fā)展了眾多用戶，產(chǎn)品得到了批量規(guī)模化應(yīng)用；

二是在閃存控制器內(nèi)部實現(xiàn)了特色的eRAID?技術(shù)，通過eRAID? 技術(shù)不僅解決了速度問題，還解決了數(shù)據(jù)存儲可靠性問題；此外，映射表的“復(fù)眼“保護技術(shù)，也是很好針對數(shù)據(jù)存儲高可靠性的解決方案；

三是通過全球首創(chuàng)性引入MRAM介質(zhì)，來解決多年來沒有解決的老問題，即因為異常掉電引起的DRAM緩存數(shù)據(jù)可靠性問題，華瀾微在MRAM介質(zhì)上的創(chuàng)新應(yīng)用，徹底解決了存儲產(chǎn)品的掉電可靠性問題和性能問題的矛盾，為全球存儲控制器研發(fā)廠商打開了解決掉電保護問題、提高產(chǎn)品速度的另一扇門；

四是進一步提高閃存糾錯算法技術(shù)，閃存介質(zhì)技術(shù)從原有的2D工藝發(fā)展到3D，層數(shù)堆疊越來越高，從32層發(fā)展到目前的92層，96層，128層……，從SLC到MLC、TLC、QLC、PLC……，糾錯算法也從原來的BCH發(fā)展到了LDPC，但這并不能滿足存儲速度的不斷發(fā)展和閃存技術(shù)發(fā)展之間帶來的矛盾，華瀾微通過研發(fā)新的糾錯算法，將更好的解決閃存糾錯問題，突破存儲速度瓶頸；

五是通過在存儲控制器上實現(xiàn)主動防衛(wèi)技術(shù)和數(shù)據(jù)加解密引擎技術(shù)，在不占用主機CPU的計算和內(nèi)存資源的前提下，即可實現(xiàn)對傳統(tǒng)病毒檢測和木馬侵襲的防護，防止對存儲數(shù)據(jù)的非法讀寫，解決存儲數(shù)據(jù)泄密問題；也可以提供基本的邊緣計算功能。

六是在存儲控制器發(fā)展中，需要在更好解決高速串行接口協(xié)議層技術(shù)方面的難題，只有從更底層去解決這一基礎(chǔ)問題，存儲控制器才能發(fā)展的更好。這個方面國內(nèi)一些廠家缺少包括接口物理層和協(xié)議層的IP積累，依賴于海外授權(quán)。華瀾微積累了全系列從USB、SATA、PCIE的IP核，可以和大家分享這些方面的成果，攜手共贏。

駱總在總結(jié)中提到，存儲控制器技術(shù)是大數(shù)據(jù)、云存儲技術(shù)的硬科技和基礎(chǔ)，是徹底解決存儲卡脖子技術(shù)難題的重要環(huán)節(jié)，存儲控制器技術(shù)需要多年持之以恒的技術(shù)積累，更需要存儲產(chǎn)業(yè)界不斷的推動和應(yīng)用，華瀾微有幸被“CIO Review“評為2019年度和本年度HPC（High Performance Computing高性能計算）的國內(nèi)代表企業(yè)。華瀾微希望在應(yīng)用大潮中能與眾多國內(nèi)外優(yōu)秀同行業(yè)一起前進，能有更多的國內(nèi)同行能夠和華瀾微并肩作戰(zhàn)，實現(xiàn)更好的中國存儲美好未來。

此外，華瀾微技術(shù)市場副總裁廖安仁先生作為“控制芯片閃存論壇”特邀出品人領(lǐng)銜豪華嘉賓陣容也出席了本次會議。

廖安仁副總裁作為“控制芯片閃存論壇”的特邀出品人，分別從固態(tài)存儲接口帶寬、閃存顆粒容量、應(yīng)用端這三個角度闡述了閃存芯片的發(fā)展。他認為在大數(shù)據(jù)時代，因人類需求而生的應(yīng)用越來越復(fù)雜，對計算的需求越來越多，帶來存儲產(chǎn)業(yè)有無限的驅(qū)動力和無限想象的閃存趨勢。同時他也邀請了三位全球主流的閃存控制器芯片供應(yīng)商，分別從不同的技術(shù)角度，就閃存芯片的現(xiàn)況分析及閃存的發(fā)展趨勢預(yù)測進行了分享，并受到現(xiàn)場網(wǎng)友的廣泛關(guān)注和認同。